选择X电容放电芯片时，需要考虑以下几个关键因素‌：

‌功耗‌：选择功耗较低的芯片可以减少待机功耗，通常选择零功耗或低功耗的芯片。例如，CAP200DG芯片在230 V AC输入时可以将功率损耗降至5 mW以下，甚至为零功耗‌

‌放电速度‌：放电速度取决于芯片的放电电阻和电容值。通常，放电电阻越小，放电速度越快，但也会增加功耗。选择合适的外部电阻值可以优化放电时间和功耗‌

‌兼容性和稳定性‌：确保芯片与系统的其他组件兼容，特别是在高能效功率转换领域，选择符合IEC60335放电标准的芯片可以提供更高的可靠性‌

‌成本和可用性‌：考虑芯片的成本和供应链的稳定性，选择性价比高的产品。例如，Power Integrations的CAPZero™-3系列器件虽然价格较高，但其高效能和可靠性使其在高端应用中具有优势‌

‌具体型号推荐‌：

1、上海贝岭/微盟的ME8701ASG,内置1000V高雪崩能力的VDMOS,无外部GND引脚，抗干扰能力强,X电容容值灵活调节，优化EMI设计,

PI ：CAP200DG/CAP300DG 系列

MPS：HF81

ON：NCP4810

芯朋：PN8200

力生美：LN9901

以上是P2P对标，非p2p的有NXP：TEA1708T，芯朋：PN8201

‌2、NXP的TEA1708‌：适用于X电容自动放电，具有低功耗特性，典型值为1 mW(在230 V AC时)，内部集成500 V钳位电路，可在电源浪涌期间保护IC‌

‌3、CAP200DG‌：适用于待机功耗要求严格的场合，能够在AC断电后自动对X电容进行放电，功耗极低，甚至为零功耗‌

‌4、CAPZero™-3系列‌：符合IEC60335放电标准，专为高能效功率转换领域设计，提供高可靠性和高效能‌