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Package
VDS max [V]
RDS (on) typ [Ω]
ID @25°C max [A]
GS66504B-TR
ULGA-3
650
100
15
GOT65R055D2
DSO-20
650
55
28
GS-065-011-1-L-TR
VSON-8
650
150
11
GS-065-004-6-L-TR
VSON8
700
315
4.6
GS-065-030-6-LR-TR
VSON-8
700
37
40
GS66516B-TR
ULGA-6
650
25
60
IGOT65R025D2
DSO-20
650
25
61
IGT65R025D2
HS0F8
650
25
70
GS61004B-TR
ULGA-3
100
16
38
IGB110S10S1
TSON4
100
8
24
IGC090S20S1
TSON6
200
6.7
IGK080B041S
UFWLB-16
40
6
14
IGB070S10S1
TOSN4
100
5
33
IGC037S12S1
TSON6
120
2.8
65
IGC033S101
VSON6
100
2.4
75
IGC025S08S1
TSON-6
80
1.9
85
IGC019S06S1
TSON-6
60
1.4
100
英飞凌GaN功率器件的主要型号和特性
英飞凌的GaN功率器件包括CoolGaN™系列,这些器件在高达700V的电压范围内可以实现高效的功率转换。主要型号包括:
IGC019S06S1:60V,100A,适用于高功率应用。
IGC025S08S1:80V,85A,适用于中等功率应用。
IGC033S101:100V,85A,适用于需要高电压的应用12。
这些器件具有以下特性:
电压范围:40V至700V。
电流范围:4A至150A。
封装选择:多种封装选项,包括SMT等。
开关速度:超快开关速度。
损耗:最小的开关损耗,无反向恢复电荷。
可靠性:高可靠性,适用于各种应用场景12。
英飞凌GaN功率器件的应用领域
英飞凌的GaN功率器件广泛应用于以下领域:
消费电子:USB-C适配器、充电器等。
工业应用:48V配电、服务器和电信开关电源等。
汽车电子:电机驱动器、机器人和无人机等。
太阳能和储能系统:高效能量转换和存储解决方案12。
英飞凌GaN功率器件的市场前景和技术趋势
根据市场估值,到2026年,GaN HEMTs(高电子迁移率晶体管)的市场规模预计将达到约10亿美元。随着技术的不断进步和应用领域的扩展,GaN功率器件的市场前景非常广阔
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