汽车MOSFET可提高性能和安全性
通过使用英飞凌汽车功率MOSFET之类的高质量器件,工程师和汽车制造商可将MOSFET相关故障降至最低。我们对客户成功和道路安全的承诺体现在以下几点:所有以我们的名字命名的汽车MOSFET都保持最高的质量标准,远远超过AEC-Q101。
符合汽车标准的OptiMOS™功率MOSFET产品组合提供20 V至300 V的标准质量、坚固耐用的封装和RDS(on)低至 0.4 mΩ。
OptiMOS™ 7为未来的汽车应用设定了新标准,与具有最小尺寸的创新、坚固的封装相结合,可实现最高的功率效率、更低的开关损耗和更大的SOA。
我们不断提供最新的汽车MOSFET产品,这些产品基于英飞凌领先的MOSFET技术、卓越的品质和坚固的封装,具有卓越的性能:
领先的 RDS(on) 沟槽技术的性能
标准封装中具有最高电流能力
最低的开关和传导功率损耗
坚固的封装技术
采用各种封装的 P 沟道和 N 沟道汽车 MOSFET
P 沟道 MOSFET:汽车 P 沟道功率 MOSFET 产品组合采用采用 OptiMOS™ -P2 和 Gen5 技术的引线封装,提供 30 V、40 V、55 V 和 150 V 两种电压,在40V具有世界上最低的RDS(on) 和最高电流能力。
N 沟道 MOSFET:我们的汽车 N 沟道 MOSFET 提供极高的设计灵活性,可满足广泛的设计需求。MOSFET 提供从 3 x 3 mm 到 10 x 15 mm 不等的一系列封装, 可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外,用于 40 V 电机驱动应用的半桥封装,以及用于最高功率密度应用的 10 x 15 mm 的新型顶部冷却 SSO10T、5 x 7 mm 封装或顶部冷却 TOLT,完善了满足这些特殊要求的产品组合,分别节省了空间和额外冷却组件的成本。
高效可靠的汽车 SiC MOSFET
碳化硅 (SiC) MOSFET 为汽车应用提供高效率和可靠性。 英飞凌广泛的汽车碳化硅MOSFET系列包括碳化硅CoolSiC™ MOSFET、碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块。
这些用于汽车行业的碳化硅MOSFET可提供最佳性能和最高的可靠性,并且节省了更多的空间和重量。
汽车 MOSFET 应用
英飞凌汽车 MOSFET 用于驱动各种应用中的电机,例如泵、风扇、通风、座椅调节或天窗。 它们还用于安全关键型应用,例如电动助力转向 (EPS)、电动制动和喷射系统。 此外,它们还可用作车载充电器、高压/低压 DC/DC 转换器、电池管理系统和逆变器的开关。
关键点:我们在所有汽车应用的封装中配备了合适的 MOSFET。
集成板桥的汽车mos
创新且具有成本效益的集成半桥封装解决方案
双 SSO8 5 x 6 mm 封装非常适合单负载。对于桥接应用,使用双 MOSFET 的布线非常复杂,需要很大的印刷电路板面积。此外,双 SSO8 封装的额定电流限制在 20 A 以内。
使用集成的半桥可以大大缩小 PCB 面积,因为它为桥接应用提供了增强的布线。新设计的半桥基于经过优化的OptiMOS™ 6技术。该产品组合提供RDS(on) 从 3.0 mΩ 到 7.0 m范围,并将数据表额定电流提高到 60 A。
潜在应用:电机控制、车窗升降器、车身控制模块 (BCM)、驻车制动器和座椅控制模块
产品主要特点:
集成式半桥 SSO8(5 x 6 mm)
占地面积减少了 5 x 6 mm,优化了 B6 应用程序的布局
最新的 OptiMOS™ 6 40 V 针对开关和功率损耗进行了优化
已列出的JEDEC 封装
低功率和中功率驱动器的成本效益
Cu-clip 焊接
桥接应用的布线需要相当大的 PCB 面积
R DS(on) 范围 3.0 mΩ 至 7.0 mΩ
数据表额定电流提高到