产品
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VDS max [V]
RDS (on) typ [Ω]
Qg
ID @25°C max(A)
IDpuls @25°C max(A)
Package
IGI60L5050A1M
600
500
0.58
4
6.4
PG-TFLGA-27
GS-065-004-6-L-TR
700
315
0.8
4.6
7.8
PG-VSON-8-980
GS66502B-TR
650
100
3.3
15
30
PG-ULGA-3
GS66508T-TR
650
50
6.1
30
60
PG-ULGA-4
IGT65R045D2
650
45
PG-HSOF-8
GS-065-030-6-LR-TR
700
37
6.7
40
67
PG-VSON-8
IGO60R042D1
600
35
8.8
60
90
PG-DSO-20
GS66516T-TR
650
25
14
60
120
PG-ULGA-4
GS61004B-TR
100
16
3.3
38
60
PG-ULGA-3
GS61008P-TR
100
7
8
90
140
PG-ULGA-5
特点
40 V - 700 V GaN 晶体管
增强型(e-mode)
4 A 至 150 A 选择范围
集成功率级
广泛的封装选择
超快开关速度
无反向恢复电荷
可反向传导
低栅极和输出电荷
卓越的 FOMs
益处
提高系统效率
提高功率密度
减轻系统重量
驱动 GaN
英飞凌提供广泛的单通道与双通道隔离与非隔离 GaN 驱动器产品组合。当与英飞凌的 GaN 功率半导体相结合时,使用 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 可提供众多优势,如更高效率和功率密度,以及在功率转换应用中的卓越性能。此外,这些器件还具有高可靠性,即使在极具挑战性的情况下也能确保坚固耐用。
应用
氮化镓的目标应用包括 USB-C 适配器和充电器、48 V 配电、服务器和电信开关电源、太阳能和储能系统、电机驱动器、机器人和无人机等。
文件名称
简介
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