碳化硅(SIC MOSFETs)是一种N通道增强型平面MOSFET,采用革命性的半导体材料碳化硅,具有低电阻、低电容和栅极电荷以及优异的开关性能。与硅相比,该设备可以为电力电子系统应用提供更高的效率、更快的运行频率和紧凑的系统尺寸。

型号 VDSS ID(A) RDS@VGS=15V(typ) RDS@VGS=15V(Max) VGS(th)(min) VGS(th)(typ) VGS(th)(max) package