关键特性
NoDelay™ Write – 以总线速度向存储单元写入数据，没有预备时间
经久耐用 – 比浮栅存储器更耐久，可实现超过100万亿个写入周期
超低功耗 – 能耗仅为EEPROM的200分之一，NOR闪存的3 000分之一
耐辐射 – 不会因辐射造成软错误而导致位反转e bit flips
英飞凌铁电存储器 (F-RAM) 系列
英飞凌提供规格齐全的串行和并行非易失性铁电存储器 (F-RAM) 产品系列。我们可提供规格从4k到4Mb不等的标准F-RAM产品。 Excelon™是英飞凌推出的新一代铁电存储器 (FRAM)。Excelon™ F-RAM 堪称行业最低功耗非易失性存储器，它兼具超低功耗操作、高速接口、即时非易失性存储和无限读写周期耐久性，因而是适用于便携式医疗设备、可穿戴设备、物联网传感器、工业和汽车应用等的理想的数据记录存储器。可提供的规格从2 Mb到16 Mb不等，工作电压在1.71V到1.89V之间，也有1.8V至3.6V的宽电压版本。
进一步了解我们的高密度 Excelon™铁电存储器 (FRAM)。
F-RAM技术及优越性
铁电存储器 (F-RAM) 基于铁电技术。F-RAM芯片含有以锆钛酸铅 (俗称PZT) 制备的铁电薄膜。PZT中的原子在电场中改变极性，从而产生一个低功耗的二进制开关。不过，PZT材料最重要的特点是它不受供电中断的影响，这使得F-RAM成为可靠的非易失性存储器。铁电存储器 (F-RAM) 的底层工作原理及其独特的存储单元架构，赋予它独具一格的优势，使它在与EEPROM和NOR闪存等存储技术的竞争中脱颖而出。
铁电存储器 (F-RAM)对比其他非易失性存储器解决方案
铁电存储器 (F-RAM) 产品当属行业最低功耗的非易失性存储器解决方案之列，其消耗的有效电流远低于EEPROM和MRAM等竞争性解决方案。得益于此， F-RAM适用于以电池为电源的设备，如可穿戴设备和医疗植入设备。近乎无限的耐久性和即时非易失性存储特性确保F-RAM在多款数据记录应用中的性能表现优于现有的存储器，如EEPROM和NOR闪存。
| Feature | F-RAM | EEPROM | Toggle MRAM |
|---|---|---|---|
| Density | Medium-High | Low-Medium | Medium-High |
| Performance | High | Low | High |
| Power Consumption | Low | Medium-High | Medium-High |
| Endurance | Virtually unlimited | Low | Unlimited |
| Additional capacitor | No | Yes | No |
入门
1. 了解英飞凌的铁电存储器 (F-RAM) 技术
3. 进一步了解我们提供的铁电存储器 (F-RAM) 产品系列
4. 探索系统设计挑战和解决方案考虑事项
5. 下载数据表
6. 下载所有铁电存储器 (F-RAM) 应用笔记
7. 申请铁电存储器 (F-RAM) 开发工具包
8. 使用 Product Selector (在线选型工具)，选择满足您的要求的F-RAM
10. 使用英飞凌开发者社区，让英飞凌应用工程师团队为您审查图纸
