FeRAM的特长
四个重要特性
非易失性
· 电源关闭时存储的数据不会消失
· 下电时不需要备用电池来保留数据
快速写入速度
· 启用无需擦除操作即可覆盖数据
· 无需等待时间进行擦除/写入操作
高读/写耐久性
· 保证10万亿 (1013) 读/写周期
· 是EEPROM读写耐久性的1000万倍
低功耗
· 没有用于写操作的升压电路
· 比EEPROM减少92%的写入功耗
· 没有为保持数据而需要的数据保持电流
FeRAM | EEPROM | FLASH | SRAM | |
记忆类型 | 非易失性 | 非易失性 | 非易失性 | 易失性 |
数据写入方法 | 覆盖式写入 | 擦除+写入 | 擦除+写入 | 覆盖式写入 |
数据写入周期时间 | 120ns | 5ms | 10µs | 55ns |
读写耐久性 | 100万亿次 | 100万次 | 10万次 | 无限次 |
电荷泵 (升压) 电路 | 无需 | 需要 | 需要 | 无需 |
数据保护后备电池 | 无需 | 无需 | 无需 | 需要 |
串口FeRAM vs. EEPROM /闪存
与传统的非易失性存储器 (如EEPROM和闪存) 相比,FeRAM具有更快的写入速度,更高的耐久性和更低的功耗等优点。采用FeRAM代替EEPROM和闪存具有以下优势。
1. 性能改进
由于快速的写入速度,即使在突然停电的情况下,FeRAM可以保存写入数据。不仅如此,FeRAM可记录数据比EEPROM和闪存更频繁。写入数据时,EEPROM和闪存需要高电压,从而比FeRAM消耗更多的功率。因此,通过使用FeRAM,在电池供电的小型设备中的电池寿命可以延长。
总之,FeRAM是;
o 在突然停电时FeRAM可以保存写入数据
o 可以进行频繁的数据记录
o 可以延长电池供电设备的电池寿命
2. 降低总成本
在工厂中将参数写入每个产品的情况下,由于FeRAM与EEPROM和闪存相比可以缩短写入时间,因此FeRAM可以有助于降低制造成本。此外,FeRAM可以为您提供单一芯片解决方案,从而代替多芯片解决方案,例如,由EEPROM + Flash组成的两个芯片方案,或由EEPROM + SRAM +电池组成的三个器件方案。
o 缩短在每个产品中写入参数的总时间
o 减少最终产品中使用的元器件数量
并口FeRAM vs. SRAM
具有并行接口的FeRAM与电池备用SRAM兼容,可以替代SRAM。通过用FeRAM代替SRAM,客户可以期望以下优势。
1. 降低总成本
使用SRAM的系统需要持续检查电池状态。如果用FeRAM替换后,客户可以从维护电池检查的负担中解放出来。此外,FeRAM不需要电池插座和防回流二极管,同时省去二者的安装空间。
FeRAM的单一芯片解决方案可以减少空间和成本。
o 免维护:无需更换电池
o 设备小型化:可以减少最终产品的元器件数量
2. 环保产品
废旧电池会成为工业废料。通过用FeRAM替换SRAM +电池,可以减少备用电池。
o 减少电池处理