在十五五新基建与双碳政策驱动下，智算中心加速扩容，服务器电源正朝着高效率、高功率密度、高可靠性、智能化方向快速迭代。上海贝岭深耕模拟IC与功率半导体领域多年，打造从功率器件、栅极驱动、电源管理、隔离器、接口芯片、线性电路产品、存储器、控制芯片到计量芯片的全品类配套方案，为服务器电源提供一站式国产化解决方案，助力客户抢占算力时代先机！

基本参数

                                                                           AI服务器电路应用框图

image.png

一、

功率器件是服务器电源高效运行的核心，上海贝岭构建高压 SJ MOSFET、SiC MOSFET、中低压 SGT MOSFET、高压平面MOSFET四大产品平台，覆盖服务器电源全功率段选型需求。

1,超结MOSFET，上海贝岭已经形成多次外延与深沟槽双技术路线并行迭代的格局。其中，G3代深沟槽技术实现cell pitch 7μm、RSP低至1.0Ω·mm²的关键指标；同时兼具超低的栅极电荷Qg与输出电容Coss，有效降低导通损耗与开关损耗，在提升转换效率的同时降低系统温升，延长电源使用寿命。


P/N

Tech

V_DSS (V)

ID (A)

R_DS(ON)_typ (Ω @VGS=10V)

R_DS(ON)_max (Ω @VGS=10V)

Qg (Nc)

Trr (Ns)

BLS60R036

Multi-epi

600

75

0.032

0.036

160

394

BLS60R020F

Multi-epi

600

102

0.018

0.02

252

160.6

BLS65R380T

Deep Trench

650

11

0.32

0.38

25.1

-

BLS65R230T

Deep Trench

650

18

0.2

0.23

28.6

290

BLS65R190

Multi-epi

650

20

0.16

0.19

39.2

30.8

BLS65R165T

Deep Trench

650

24

0.135

0.16

43

271.8

BLS65R099

Multi-epi

650

41

0.071

0.099

79.3

315

BLS65R070F

Multi-epi

650

47

0.062

0.07

109

161

BLS65R041F

Multi-epi

650

70

0.035

0.042

161

157.6

BLS65R099F

Multi-epi

650

41

0.077

0.099

92.7

101


2,SiC MOSFET方面，基于第五代平面栅技术平台，通过对沟道区进行精细化设计与周期性势场调控，实现了导通电阻、开关损耗与栅极阈值电压漂移的协同优化，确保器件在高温、高频工况下具备优异的稳定性。通过优化栅源电容与栅漏电容比值Cgs/Cgd，增强了栅极抗串扰能力，有效抑制桥式拓扑中的直通风险。结合HU3PAK、QDPAK等高功率密度封装，可进一步优化散热路径与寄生参数，提升器件在高结温、高功率密度工况下的应用能力与系统可靠性。

P/N

Package

Tech

V_DSS (V)

ID (A)

Vth/min (V)

Vth/typ (V)

Vth/max (V)

R_DS(ON)_typ (mΩ @VGS=18V)

R_DS(ON)_max (mΩ @VGS=18V)

BLC45N65-F/ZA

TO-247/TO-247-4L-2

G1

650

64

1.8

2.8

4.5

45

64

BLC10N75P5-F/Z/BB

TO247 TO247-4L TO263-7L

G5

750

160

1.8

2.8

4.5

10

15

BLC25N75P5-F/Z/BB

TO247 TO247-4L TO263-7L

G5

750

102

1.8

2.8

4.5

25

32

BLC40N75P5-F/Z/BB

TO247 TO247-4L TO263-7L

G5

750

68

1.8

2.8

4.5

40

48

BLC54N75P5-F/Z/BB

TO247 TO247-4L TO263-7L

G5

750

55

1.8

3.0

4.5

54

65

BLC160N75P5-A/D/Q

TO220F TO252 PDFN 5*6

G5

750

21

1.8

3.2

4.5

160

195

BLC240N75P5-A/D/Q

TO220F TO252 PDFN 5*6

G5

750

15

1.8

3.2

4.5

240

280

BLC380N75P5-A/D/Q

TO220F TO252 PDFN 5*6

G5

750

9

1.8

3.4

4.5

380

440


3,SGT MOSFET方面，上海贝岭产品覆盖30V至200V全系列。以40V系列产品为例，采用红磷衬底及HDP工艺，可以显著降低衬底电阻及沟道电阻。同时，得益于精心调试的工艺，高密度元胞并没有额外增加应力，wafer仍然可以减薄至100um(非taiko)，这也显著降低了衬底电阻。同时支持多管并联应用场景下的栅极阈值电压Vth档位定制筛选，满足模块化服务器电源对多路并联均流的需求.

P/N

Package

VDSS (V)

ID (A)

RDS(ON)_typ (mΩ@VGS=10V)

RDS(ON)_max (mΩ@VGS=10V)

Vth/min (V)

Vth/typ (V)

Vth/max (V)

Ciss (pF)

Coss (pF)

Crss (pF)

Qg (Nc)

BLP016N03LC-Q

PDFN5*6(CLIP)

30

127

1.43

1.7

1

1.83

2.5

2389

880

37

34.5

BLP01N04C-Q

PDFN5*6(CLIP)

40

343

0.75

1

2.2

2.6

3

8712

3517

134.5

92.5

BLP016N04LC-Q

PDFN5*6(CLIP)

40

195

1.25

1.6

1

1.8

2.5

3619

1632

65

61

BLP02N04L-Q

PDFN5*6

40

181

1.65

2

1

1.75

2.5

3619

1632

65

61

BLP02N06-Q

PDFN5*6

60

199

2.1

2.3

2

3

4

4348

1519

57.5

68.4

BLP032N06-Q

PDFN5*6

60

146

2.8

3.2

2

3

4

2753

1027

16.1

43.2

BLP03N06L-Q

PDFN5*6

60

155

2.6

3

0.8

1.5

1.8

2789

1035

46

52.3

BLP036N08-Q

PDFN5*6

80

155

3.2

3.6

2

3

4

4600

1184

37

72

BLP022N08-T

TOLL-8

80

251

1.7

2.2

2

3

4

7920

2121

198

140

BLP014N08-T

TOLL-8

80

312

1.4

1.7

2

3

4

9898

3530

437

156

BLP012N08-T

TOLL-8

80

413

1.1

1.4

2

3

4

12600

3600

500

230

BLP01N08-T

TOLL-8

80

360

1

1.2

2

3

4

14760

4200

1140

231



4,辅助电源的高压平面MOSFET方面，上海贝岭高压平面MOSFET产品线覆盖100V~1700V宽电压范围，拥有领先的EAS抗冲击能力和短路耐量，为反激式辅助电源提供高可靠性方案。

P/N

Package

Status

VDSS (V)

ID (A)

Vth/min (V)

Vth/typ (V)

Vth/max (V)

RDS(ON)_typ (Ω @VGS=10V)

RDS(ON)_max (Ω @VGS=10V)

BL4N80A

TO220 TO220F TO252 TO251

P

800

3.5

2.8

-

4.2

3.6

4.3

BL4N80

TO220 TO220F TO251 TO252 TO263

P

800

4

3

3.5

4

2.3

2.8

BL10N80

TO220 TO220F TO3PN TO3PF TO247

P

800

10

3

3.5

4

0.72

0.9

BL3N90

TO220 TO220F TO252 TO251

P

900

3

3

4

5

3.9

4.5

BL3N90E

TO220F TO251 TO252

P

900

3

3

3.5

4

4.8

5.5

BL4N90

TO220 TO220F TO251 TO252

P

900

4

3

3.5

4

2.6

3

BL9N90

TO220 TO220F TO3PN TO3PF TO247

P

900

9

3

3.5

4

0.83

1




二、计量明星产品


在服务器电源领域，能效管理日益精细化，精准的功率监测与电能计量已是刚需。计量产品是上海贝岭的传统优势领域，本次重磅带来从独立计量IC到电能采集专用SoC的完整产品组合：


· BL0942：内置时钟免校准，支持电流、电压有效值、有功功率、有功电能量等参数测量，SSOP10/TSSOP14 封装，适配智能计量模块；

· BL0971：单相交/直流计量，支持电流、电压有效值、有功功率、无功功率、有功电能、无功电能等参数的测量，QFN20封装，适配交直流能耗监控；

· BL6552：7通道三相计量，支持3路电压采集+4路电流采集，适配三相电源监控、电能质量分析；

· BL66A02XX：电能采集专用SoC芯片，内嵌 ARM Cortex-M0 内核，256KB Flash+32KB SRAM，集成独立硬件计量单元（EMU），支持全波 / 基波 / 谐波计量、波形重构，丰富通信接口，适配高端服务器电源智能监测与数据交互。


从单独的计量芯片到高度集成的SoC方案，上海贝岭计量产品形成了完善的梯队布局，能够灵活匹配不同服务器电源产品对能效监测的精简与复杂需求，是名副其实的“明星产品”。

三、上海贝岭服务器电源选型指南

分类

型号

产品简介

PWM 控制器

ME8115

高性能电流模式 PWM 控制器，内部集成 BJT

PWM 控制器

ME8123

高性能电流模式 PWM 控制器，内部集成 NMOS

DC-DC

BL8032G

18V, 2A, 500KHz 同步降压 DC/DC 转换器

DC-DC

BL8036

28V, 3A, 500KHz 同步降压 DC/DC 转换器

DC-DC

ME3121

40V, 1A, 1MHz 同步降压 DC/DC 转换器

LDO

BL1117/ME1117

工作电压 Max.18V，工作电流 1A，Bipolar 型

三端稳压器

BL78L05/ME78L05

三端稳压器系列

基准电压源

BL431/ME431

可调精密分流稳压器

计量 IC

BL0942

单路内置时钟免校准交流计量，集成两路 ADC，可测量一路电流、一路电压

计量 IC

BL0971

集成了两路高精度 ADC，可同时测量一路电流、一路电压

计量 IC

BL6552

三相交流计量，集成七路 ADC，可测量四路电流、三路电压

电能计量 SoC

BL66A02XX

针对交直流电能采集专用的 SoC 芯片，内嵌 ARM Cortex M0 处理器

数字隔离器

BL71xx

2/4/6 通道数字隔离器

运算放大器

BL360x

1/2/4 通道 550nA 低 Iq

运算放大器

BL358

低功耗双通道运算放大器

EEPROM

BL24Cxx

2K~2048K EEPROM

Flash

BL25WQxxA

512K~128M Nor Flash



适用领域