并行EEPROM存储器

您的位置:首页--产品展示--并行EEPROM存储器

并行 EEPROM

Atmel 在全球并行 EEPROM 市场位居榜首

Atmel 堪称世界顶级并行 EEPROM 器件制造商。并行 EEPROM 可以按字节或整个扇区更新存储数据,提供了设计灵活性。并行接口器件提供高编程耐久性和数据保留时间,并且比串行接口协议读取速度更快。Atmel 提供了完整的一组密度 (64KB - 4MB)、工作电压和器件封装可供选择。Atmel Battery Voltage™ (2.7V)、低压 (3V) 和 5V 器件广泛应用于各种领域,例如,电信、航空电子设备和军事应用。

关键特性

  • 节省元件 — 这些器件在读取或写入周期被访问(如同静态 RAM),而无需外部元件。
  • 单片 EEPROM — Atmel 只提供 4MB 单片并行 EEPROM (AT28C010),用于军事和商用航空电子设备。
  • 其他功能 — 器件还具有其他一些功能,包括内部错误校正、可选软件数据保护机制和器件识别空间。

器件

器件系列优势摘要应用技术关键参数
并行 EEPROM

可更改字节的存储器

高耐久性和高可靠性

并行访问

直接代码执行和高可靠性数据存储应用,例如电信、航空电子设备和军事等领域。

页面写入的分页缓冲区

软件数据保护

64KB - 4MB

2.7V 和 5V 版本

PDIP、PLCC、SOIC 和 TSOP 封装


器件
说明

Battery-Voltage Parallel EEPROM 256K (32K x 8)

Battery-Voltage Parallel EEPROM 64K (8K x 8) with Page Write and Software Data Protection

Paged Parallel EEPROM 1M (128K x 8)

Paged Parallel EEPROM 4M (512K x 8)

Paged Parallel EEPROM 256K (32K x 8)

Parallel EEPROM 64K (8K x 8) with Page Write and Software Data Protection

High-Speed Parallel EEPROM 256K (32K x 8)

High-Speed ParallelEEPROM 64K (8K x 8) with Page Write and Software Data Protection

High Speed Parallel EEPROM 64K (8K x 8) with Page Write and Software Data Protection

Low-Voltage Paged Parallel EEPROM 1M (128K x 8)


< 返回

沪ICP备15009483号 Copyright © 2013上海泽兆电子科技有限公司     地址:上海市松江区莘砖公路518弄松江漕河泾开发区11号楼11B2室   电话:021-54179891